IBISとは

パッケージの電気特性を取り入れた半導体デバイスの入出力バッファの電気特性をモデル化したもので、これは基板設計のシミュレーションモデルとなります。バッファ回路をモデル化し、その動作特性をテーブル形式で示したものであります。これは、個々の回路素子の特性や素子間の接続を表現するSPICEに比べて解析速度が優れています。’

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