ICの製造過程、またはウェハ工程では、シリコンの単結晶基板を基盤に、トランジスタ等の電子部品を組み込む下地工程（したじ工程）が行われます。これは、ソースやドレイン、ゲート酸化膜、コンタクトホールの形成過程に該当します。それに続く工程として、電源や接地（グランド）を用いて、これら部品間での接続を可能にする配線構造を構築する上地工程（うわじ工程）またはバックエンドプロセス（BEP）が行われます。’
フロントエンドプロセスとは
- IC, シリコン単結晶基板, トランジスタ, バックエンドプロセス, 配線構造
