「シリコンICの素子間を分離する手法としては、局所酸化膜技術が利用されます。この技術では、IC素子を作るエリアを窒化膜（Si3N4）で覆った後、高温酸化処理を施します。その結果、窒化膜がない部分には酸化膜が形成されます。こうして作られた酸化膜は「LOCOS」と呼ばれ、素子同士を分離するのに用いられます。この技術は、素子間の距離を短縮可能なため、集積度を高めるのに非常に効果的です。」
「シリコンICの素子間を分離する手法としては、局所酸化膜技術が利用されます。この技術では、IC素子を作るエリアを窒化膜（Si3N4）で覆った後、高温酸化処理を施します。その結果、窒化膜がない部分には酸化膜が形成されます。こうして作られた酸化膜は「LOCOS」と呼ばれ、素子同士を分離するのに用いられます。この技術は、素子間の距離を短縮可能なため、集積度を高めるのに非常に効果的です。」
