複数の元素が組み合わさった半導体について考察します。V族とIII族から作られたGaAs、InP、GaN、あるいは IV族同士で組成されたSiGe、さらにはII族とVI族が結合したZnO、CdTe、ZnSeといった素材が存在します。これらは単一の元素だけでは得られない半導体の特性を呈します。特に超高速・超高周波デバイスや、光デバイス（半導体レーザーやLEDなど）のプラットフォームとして利用されています。
複数の元素が組み合わさった半導体について考察します。V族とIII族から作られたGaAs、InP、GaN、あるいは IV族同士で組成されたSiGe、さらにはII族とVI族が結合したZnO、CdTe、ZnSeといった素材が存在します。これらは単一の元素だけでは得られない半導体の特性を呈します。特に超高速・超高周波デバイスや、光デバイス（半導体レーザーやLEDなど）のプラットフォームとして利用されています。
