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化学的気相成長法とは、ウェハ上に薄膜を形成する手段の一つです。この方法では、多結晶シリコンを配線に、酸化シリコン、窒化シリコン、PSG（リン化酸化膜ガラス）を表面保護膜や絶縁膜に使用します。これらの薄膜の成分が含まれた気体をウェハに供給し、化学的な反応が起きることで薄膜が形成されます。この方法はさらにエネルギー源による分類（熱CVD法、光CVD法、プラズマCVD法）、成膜圧力による分類（常圧CVD：AP-CVD、減圧CVD：LP-CVD）、反応方式による分類（有機金属化学気相成長法：MO-CVD）などが可能です。