単結晶シリコン(Si)インゴットから切断し、その表面を磨いた円形の薄い板というのがウェハの定義です。これは各種のICが製作されるための基盤となります。現在、直径300mm (12インチ)のウェハが、ICの大量生産に役立てられています。

単結晶シリコン(Si)インゴットから切断し、その表面を磨いた円形の薄い板というのがウェハの定義です。これは各種のICが製作されるための基盤となります。現在、直径300mm (12インチ)のウェハが、ICの大量生産に役立てられています。
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