これは、素子分離技術の一種です。まず、シリコン基板の表面にドライエッチングの手法を用いて溝を作り出します。次に、CVDというプロセスを経由して絶縁膜を生成し、この絶縁膜をCMP等の方法で均一化します。これにより、素子分離が可能となります。この技術は、LOCOSに比べて分離エリアをより細かくすることができます。だけれども、基板表面で欠陥が発生しないようにするための工夫が必要です。’
これは、素子分離技術の一種です。まず、シリコン基板の表面にドライエッチングの手法を用いて溝を作り出します。次に、CVDというプロセスを経由して絶縁膜を生成し、この絶縁膜をCMP等の方法で均一化します。これにより、素子分離が可能となります。この技術は、LOCOSに比べて分離エリアをより細かくすることができます。だけれども、基板表面で欠陥が発生しないようにするための工夫が必要です。’
