半導体の製造過程では、エッチングとデポジション（成膜）が頻繁に行われます。その過程で生まれるウェハ表面の凹凸を平坦にするための技術が求められます。これには、化学的機械的磨砕（CMP）という代表的な方法が存在します。特に、多層配線の段階では、この技術の重要さが際立ちます。
半導体の製造過程では、エッチングとデポジション（成膜）が頻繁に行われます。その過程で生まれるウェハ表面の凹凸を平坦にするための技術が求められます。これには、化学的機械的磨砕（CMP）という代表的な方法が存在します。特に、多層配線の段階では、この技術の重要さが際立ちます。
