MOS型電界効果トランジスタとは、ソース、ゲート、ドレインという三つの電極で構成されている半導体デバイスです。特徴的なのは、ゲート電極に適用される電圧によってソースとドレイン間の電流、すなわちデバイスの動作が制御されることです。MOSFETと呼ばれるこの型式には、n型とp型という2つのバリエーションが存在します。その特性から、バイポーラトランジスタと比較しても微細な製造工程でチップの表面積を少なく抑えることができ、そのため高い集積化が可能となっています。
MOS型電界効果トランジスタとは、ソース、ゲート、ドレインという三つの電極で構成されている半導体デバイスです。特徴的なのは、ゲート電極に適用される電圧によってソースとドレイン間の電流、すなわちデバイスの動作が制御されることです。MOSFETと呼ばれるこの型式には、n型とp型という2つのバリエーションが存在します。その特性から、バイポーラトランジスタと比較しても微細な製造工程でチップの表面積を少なく抑えることができ、そのため高い集積化が可能となっています。
