これは、金属酸化膜半導体について説明したものです。シリコン基板などの半導体の表面に酸化膜を通じて金属（通常はゲートと呼ばれます）が置かれ、金属-酸化膜-半導体という構造を作り上げます。これは、MOSICの基本的なトランジスタ構造を示しています。ソースからドレインへと流れるキャリアの量、つまりソースとドレイン間のチャネル電流は、絶縁体を使ってゲート電圧により調節されます。さらに、このMOS構造が容量（キャパシタ）として利用されたものが、DRAMの記憶キャパシタとして知られています。
これは、金属酸化膜半導体について説明したものです。シリコン基板などの半導体の表面に酸化膜を通じて金属（通常はゲートと呼ばれます）が置かれ、金属-酸化膜-半導体という構造を作り上げます。これは、MOSICの基本的なトランジスタ構造を示しています。ソースからドレインへと流れるキャリアの量、つまりソースとドレイン間のチャネル電流は、絶縁体を使ってゲート電圧により調節されます。さらに、このMOS構造が容量（キャパシタ）として利用されたものが、DRAMの記憶キャパシタとして知られています。
