HBTとは

「バイポーラ・トランジスタの一種で、SiGeとSiや、GaAsとAlGaAsといった異なる種類の半導体を用いてへテロ接合を行った素子構造です。これにより、電流増幅率の低下を抑えつつ、動作速度のアップが可能です。その結果、モバイル端末や無線LANのパワーアンプでの活用が見られます。」

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