「MOSFETの一形態であり、ソースとドレインの領域において、ゲート端とチャネル近辺の拡散層には比較的低い不純物濃度を確立した構造。低濃度部分の設置は、チャネル層内に拡散する空乏層の拡大を防ぎ、効率的なチャネル長を延ばしやすくする。この設計が生む結果として、電界の集中度が和らぎ、リーク電流やホットキャリアの形成を低減できる。」
LDDとは
- MOSFET, ソース・ドレイン領域, チャネル層, リーク電流, 空乏層
「MOSFETの一形態であり、ソースとドレインの領域において、ゲート端とチャネル近辺の拡散層には比較的低い不純物濃度を確立した構造。低濃度部分の設置は、チャネル層内に拡散する空乏層の拡大を防ぎ、効率的なチャネル長を延ばしやすくする。この設計が生む結果として、電界の集中度が和らぎ、リーク電流やホットキャリアの形成を低減できる。」
